| FDP027N08B | |
|---|---|
| رقم القطعة | FDP027N08B |
| الصانع | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| وصف | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| الكمية متاحة | 31500 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من FDP027N08B | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | FDP027N08B | الفئة | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة |
| الصانع | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | وصف | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| حزمة / القضية | Tube | الكمية متاحة | 31500 pcs |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4.5V @ 250µA | فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 |
| سلسلة | PowerTrench® | RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 246W (Tc) | التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole | مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant | مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 13530pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 178nC @ 10V | نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - | محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V | وصف تفصيلي | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| تحميل | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ FDP027N08B عبر الإنترنت.
| FDP027N08B المالية | FDP027N08B السعر | FDP027N08B إلكترونيات | |||
| مكونات FDP027N08B | جرد FDP027N08B | FDP027N08B Digikey | |||
| المورد FDP027N08B | اطلب FDP027N08B عبر الإنترنت | الاستفسار FDP027N08B | |||
| صورة FDP027N08B | FDP027N08B صورة | FDP027N08B PDF | |||
| FDP027N08B Datasheet | تنزيل FDP027N08B Datasheet | منتج | |||
| الأجزاء ذات الصلة ل FDP027N08B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| صورة | رقم القطعة | وصف | الصانع | إقتبس | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
أخبار
أكثر من
مع تقدم التكنولوجيا وصول عصر المعلومات ، تقوم الشبكات البصرية ، وهي طريقة نقل بيان...
ذكرت منزل تكنولوجيا المعلومات في 16 أبريل أنه وفقًا لـ "تقرير سوق معدات أشباه الموص...
الاتحاد السويدي إذا أعلن Metall في 10 أبريل أن الإضراب من Tesla Mechanics هو واحد من أطول نزاع...
في الآونة الأخيرة ، أعلنت شركات تصنيع التخزين الرئيسية مثل Micron و Samsung و Western Digital عن ...
في الهواء ، يكون الكسر الطبيعي للحجم الطبيعي لمحتوى الأكسجين حوالي 20.9 ٪ ، ولكن عند...
منتجات جديدة
أكثر من
جهاز الاستشعار الكهروضوئي سلسلة PD30 أجهزة الاستشعار ال...
XC112 / XR112 مجموعة التقييم للرادار المتماسك النبضي A111 طقم ...
MINAS A6 سلسلة محركات الأقراص المؤازرة والمحركات تضمن عائ...
مجلس سائق الصمام الأشعة فوق البنفسجية لوحة القيادة LED UV...
الصناعية واختبار الموسعة DDR SDRAM تضمن أجهزة DDR SDRAM من Insignis...
البريد الإلكتروني: Info@ariat-tech.comهونج كونج تل: +00 852-30501966ADD: RM 2703 27F Ho King Comm Center 2-16،
Fa Yuen St MongKok Kowloon ، هونج كونج.
إشعار حقوق النشر © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.كل الحقوق محفوظة.