| SI5933DC-T1-E3 | |
|---|---|
| رقم القطعة | SI5933DC-T1-E3 |
| الصانع | Vishay / Siliconix |
| وصف | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| الكمية متاحة | 93000 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | |
| SI5933DC-T1-E3 Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من SI5933DC-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | SI5933DC-T1-E3 | الفئة | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة |
| الصانع | Vishay / Siliconix | وصف | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| حزمة / القضية | Tape & Reel (TR) | الكمية متاحة | 93000 pcs |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | تجار الأجهزة حزمة | 1206-8 ChipFET™ |
| سلسلة | TrenchFET® | RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| السلطة - ماكس | 1.1W | التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 8-SMD, Flat Lead | درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7.7nC @ 4.5V | نوع FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة | Logic Level Gate | استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.7A | ||
| تحميل | SI5933DC-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ SI5933DC-T1-E3 عبر الإنترنت.
| SI5933DC-T1-E3 المالية | SI5933DC-T1-E3 السعر | SI5933DC-T1-E3 إلكترونيات |
| مكونات SI5933DC-T1-E3 | جرد SI5933DC-T1-E3 | SI5933DC-T1-E3 Digikey |
| المورد SI5933DC-T1-E3 | اطلب SI5933DC-T1-E3 عبر الإنترنت | الاستفسار SI5933DC-T1-E3 |
| صورة SI5933DC-T1-E3 | SI5933DC-T1-E3 صورة | SI5933DC-T1-E3 PDF |
| SI5933DC-T1-E3 Datasheet | تنزيل SI5933DC-T1-E3 Datasheet | منتج Vishay / Siliconix |
البريد الإلكتروني: Info@ariat-tech.comهونج كونج تل: +00 852-30501966ADD: RM 2703 27F Ho King Comm Center 2-16،
Fa Yuen St MongKok Kowloon ، هونج كونج.
إشعار حقوق النشر © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.كل الحقوق محفوظة.