TL071CD OP-AMP: تكوين دبوس ، المواصفات ، ورقة البيانات
2024-10-09 1178

TL071CD هو مضخم تشغيل واحد JFET من stmicroelectronics ، والمعروف عن ضوضاءها المنخفضة.تستكشف هذه المقالة pinout ومواصفاتها وميزاتها وتطبيقاتها ، وتقدم نظرة شاملة على هذا المكون متعدد الاستخدامات.

كتالوج

نظرة عامة TL071CD

ال TL071CD هو مضخم تشغيل واحد عالي السرعة في JFET ، يدمج الترانزستورات JFET عالية الجهد وذات الجهد العالي والثنائي القطب في شريحة متجانسة.يتميز هذا الجهاز بخصائص مثل معدلات انخفاض عدد الحجم ، وانحراف المدخلات المنخفضة ، وتيارات الإزاحة ، ومعامل درجة حرارة الجهد المنخفض.هذه الميزات تجعلها فعالة بشكل ملحوظ في التطبيقات التي يلزم تضخيمها الدقيقة والمستقرة.

من خلال الجمع بين الترانزستورات JFET و bipolar ، يلفت TL071 توازنًا مثيرًا للإعجاب بين السرعة وكفاءة الطاقة.يجد هذا التآزر أهمية خاصة في تصميم دوائر لمعالجة الصوت وتضخيم الأجهزة والتطبيقات الدقيقة.يضيء أدائها في الأنظمة التي تعطي الأولوية للضوضاء إلى الحد الأدنى وسلامة الإشارة ، وشرح انتشارها في معدات الصوت المهنية وأدوات القياس الحساسة.

نماذج بديلة لـ TL071CD

- TL071CDR

- TL071CDE4
- TL071CDG4

- TL071CDRE4

- TL071CDRG4

TL071CD تكوين دبوس

يعد مكبر الصوت التشغيلي TL071CD جزءًا لا يتجزأ في عدد لا يحصى من الدوائر الإلكترونية ، المعترف به لتكوين الدبوس المميز.يعزز هذا التخطيط الأداء والفائدة الاستثنائية عبر التطبيقات المتنوعة.مفصل أدناه هي تكوينات دبوس متشابكة مع رؤى عملية لرفع فهمك.

وصف دبوس ووظائفها

• VCC+ (PIN 4): PIN 4 يستوعب الجهد الإيجابي لإمدادات الطاقة (VCC+).إنه ينشط مكبر الصوت التشغيلي ، مما يسهل عملياته المقصودة.يعد الحفاظ على جهد ثابت ومناسب في هذا الدبوس أمرًا بالغ الأهمية للأداء الموثوق به.

• VCC- (PIN 7): يتصل الجهد السلبي لإمدادات الطاقة (VCC-) بـ PIN 7 ، مما يفي بمتطلبات الطاقة المزدوجة من OP-AMP.هذه الميزة المزدوجة المزدوجة تثري براعة والقدرة التشغيلية لـ OP-AMP في التصاميم الإلكترونية المتنوعة.

• إدخال مقلوب (دبوس 2): دبوس 2 وظائف كحرف الإدخال المقلوب.يؤثر الجهد المطبقة هنا عكسياً على جهد الخرج ، حيث يلعب دورًا محوريًا في معالجة الإشارات عبر العديد من السيناريوهات.

• المدخلات غير المقيدة (PIN 3): متصلة بالدبوس 3 ، تضمن محطة الإدخال غير الموروثة أن الفولتية المطبقة تؤثر بشكل مباشر على جهد الخرج ، مع الاحتفاظ بمحاذاة الطور مع إشارة الدخل.هذا أمر بالغ الأهمية في إعدادات مكبر الصوت التفاضلية وعمليات تضخيم الإشارة.

• الإخراج (PIN 6): يعمل PIN 6 كحرف الإخراج ، مما يوفر الإشارة المتضخمة المستمدة من فولتية الإدخال على المسامير 2 و 3. تعتمد جودة إشارة الخرج اعتمادًا كبيرًا على ظروف إمداد الطاقة وسلامة اتصالات الإدخال.

• إزاحة لاغية (دبابيس 1 و 5): يتم استخدام الدبابيس 1 و 5 لتعديل الإزاحة الفارغة.تتيح هذه الميزة ضبطًا دقيقًا لـ OP-AMP لتقليل إزاحة جهد الخرج ، مما يعزز الدقة بشكل نقدي في تطبيقات الدقة العالية.

TL071CD ميزات المفتاح

ميزة	وصف
الوضع المشترك والجهد التفاضلي	وضع مشترك واسع (حتى VCC+) ونطاق الجهد التفاضلي
تحيز المدخلات والتيار	انخفاض انحياز المدخلات والتيار الإزاحة الحالية
مستوى الضوضاء	ضوضاء منخفضة EN = 15 NV/√Hz (TYP)
حماية المخرجات	الإخراج حماية الدائرة القصيرة
مقاومة المدخلات	مرحلة إدخال JFET عالية المعاوقة
تشويه التوافقي	تشويه التوافقي المنخفض: 0.01 ٪ (TYP)
تعويض التردد	تعويض التردد الداخلي
عملية	عملية إغلاق مجانية
معدل الضبط	معدل عدد كبير من العمل: 16 فولت/µs (TYP)

المواصفات الفنية

يتم منح Estmicroelectronics TL071CD مجموعة واسعة من المواصفات والمعلمات التقنية ، ووعد كل من التنوع والأداء الذروة ، مثل المكونات الأخرى عالية العيار.

يكتب	المعلمة
جبل	جبل السطح
نوع التثبيت	جبل السطح
حزمة / حالة	8-suic (0.154 ، عرض 3.90 مم)
عدد المسامير	8
درجة حرارة التشغيل	0 درجة مئوية ~ 70 درجة مئوية
التغليف	أنبوب
رمز JESD-609	E4
حالة الجزء	عفا عليها الزمن
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)	1 (غير محدود)
عدد الإنهاء	8
رمز ECCN	ear99
الانتهاء من المحطة	النيكل/البلاديوم/الذهب (Ni/PD/AU)
الموقف الطرفي	مزدوج
شكل محطة	جناح نورس
ذروة درجة حرارة تراجع (CEL)	260 درجة مئوية
عدد الوظائف	1
الجهد توريد	15V
Time @ Peak Reperow درجة حرارة	30s
رقم الجزء الأساسي	TL071
عدد الدبوس	8
حالة التأهيل	غير مؤهل
عدد القنوات	1
تشغيل توريد التيار	1.4ma
تيار العرض الاسمي	2.5ma
تبديد السلطة	680 ميجاوات
تيار الإخراج	40mA
معدل الضبط	16V/μs
بنيان	رابحة الجهد
نوع مكبر للصوت	j-fet
نسبة رفض الوضع الشائع	70 ديسيبل
الحالي - تحيز المدخلات	20PA
الجهد - العرض ، واحد/مزدوج	6v36v ± 3v18v
تيار الإخراج لكل قناة	40mA
الجهد الإزاحة الإدخال (VOS)	10mv
وقت الصعود	100ns
NEG Supply Voltage-NOM (VSUP)	-15 فولت
الوحدة كسب BW-NOM	4000 كيلو هرتز
كسب الجهد	106.02db
متوسط ​​التحيز الحالي (IIB)	0.02μA
منخفضة	لا
تعويض التردد	نعم
الجهد - إزاحة الإدخال	3MV
التحيز المنخفض	نعم
التحيز الحالي max (IIB) @25 درجة مئوية	0.0002μA
ارتفاع	1.25mm
طول	4.9mm
عرض	3.9mm
الوصول إلى SVHC	لا SVHC
حالة ROHS	ROHS3 متوافق
الرصاص الحر	الرصاص الحر

مكونات مماثلة

المعلمة	TL071CD	TL081IDT	TL071IDT	LF356MX/NOPB	TL081CDT
الشركة المصنعة	stmicroelectronics	stmicroelectronics	stmicroelectronics	أدوات تكساس	stmicroelectronics
حزمة / حالة	8-soic (0.154 ، 3.9mm)	8-soic (0.154 ، 3.9mm)	8-soic (0.154 ، 3.9mm)	8-soic (0.154 ، 3.9mm)	8-soic (0.154 ، 3.9mm)
عدد المسامير	8	8	8	8	8
معدل الضبط	16V/µs	16V/µs	16V/µs	16V/µs	12V/µs
إدخال الجهد الإزاحة	10 mV	10 mV	10 mV	10 mV	10 mV
رفض الوضع المشترك	70 ديسيبل	80 ديسيبل	70 ديسيبل	80 ديسيبل	80 ديسيبل
الجهد توريد	15 فولت	15 فولت	15 فولت	15 فولت	15 فولت
تشغيل توريد التيار	1.4 م	1.4 م	1.4 م	1.4 م	5 م
كسب الجهد	106.02 ديسيبل	106.02 ديسيبل	106.02 ديسيبل	106.02 ديسيبل	106.02 ديسيبل

TL071CD مخطط كتلة

يتم تقدير مضخم التشغيل التشغيلي TL071CD لأدائه عالي السرعة وخصائص الضوضاء المنخفضة.يدمج مجموعة متنوعة من المكونات الداخلية المركزية لمعالجة الإشارات التناظرية.يوفر فهم مخطط كتلة TL071CD رؤى عميقة في تصميمه ووظائفه ، مما يساعد في تسخير قدراتها لمجموعة من التطبيقات.

حزم TL071CD

المرجع.	أبعاد	ملليمتر (دقيقة)	ملليمتر (طبقة)	ملليمتر (كحد أقصى)	بوصة (دقيقة)	بوصة (طبعة.)	بوصة (كحد أقصى)
أ	الارتفاع (أ)		1.75			0.069
A1	ارتفاع المواجهة	0.1	0.25		0.004	0.01
A2	سمك الجسم		1.25			0.049
ب	عرض الرصاص	0.28	0.48		0.011	0.019
ج	سمك الرصاص	0.17	0.23		0.007	0.009
د	طول الجسم	4.8	4.9	5	0.189	0.193	0.197
ه	عرض الجسم	5.8	6	6.2	0.228	0.236	0.244
E1	عرض الجسم باستثناء.يؤدي	3.8	3.9	4	0.15	0.154	0.157
ه	دبوس الملعب		1.27			0.05
ح	إزاحة الرصاص	0.25	0.5		0.01	0.02
ل	طول الرصاص	0.4	1.27		0.016	0.05
L1	طول الدبوس		1.04			0.04
ك	زاوية الرصاص	1 °		8 °	1 °		8 °
CCC	coplanarity		0.1			0.004

معلومات الشركة المصنعة

تقف Estmicroelectronics كواحدة من أكثر شركات أشباه الموصلات المستقلة المتميزة.تم بناء سمعتها على حلول أشباه الموصلات الرائدة في العالم والتي تؤثر على تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة المتنوعة.من خلال مزيج متناغم من خبرة السيليكون والأنظمة ، وقدرات تصنيع واسعة ، ومحفظة IP غنية ، تضع الشركة نفسها في طليعة التكنولوجيا.هذا المزيج الفريد يدفع الابتكارات التي تعالج الاحتياجات التكنولوجية الحالية والمستقبلية على حد سواء ، مما يعزز مشهد من التقدم المستمر.

Excroelectronics stmicroelectronics تتفوق في تقنية النظام (SOC) ، يرمز إلى جوهر التقارب التكنولوجي الحديث.بالنظر إلى الطلب المتزايد على الأجهزة متعددة الوظائف في المساحات المحدودة ، تصبح تقنية SOC حلاً مثاليًا.من خلال تضمين وظائف متعددة في شريحة سيليكون واحدة ، يتم تحسين الكفاءة ، ويتم تقليل التكاليف.هذا الابتكار ليس مجرد أعجوبة تقنية ولكنه طريق لتجارب أكثر سلاسة.أحد العناصر الأساسية لانتصار Estmicroelectronics هو تحالفاتها الاستراتيجية مع قادة الصناعة.تعزز هذه التعاون الابتكار من خلال دمج أشكال مختلفة من الخبرة والموارد.والجدير بالذكر أن الشراكات مع عمالقة التكنولوجيا العالمية تحفز إنشاء أشباه الموصلات المتقدمة المصممة لتلبية احتياجات الصناعة المتخصصة.إن مزج هذه الشراكات يغذي روح الشركة الرائدة في سوق يتميز بالتطور السريع.

ورقة البيانات pdf

TL071CD أوراق البيانات:

TL071CD.PDF

TL071CD تفاصيل PDF

TL071CD PDF - DE.PDF

TL081IDT DATASHERS:

TL081IDT.PDF

TL081IDT تفاصيل PDF

TL081IDT PDF - DE.PDF

TL081IDT PDF - FR.PDF

TL081IDT PDF - ES.PDF

TL081IDT PDF - IT.PDF

TL081IDT PDF - KR.PDF

TL071IDT DATASHERS:

TL071IDT.PDF

TL071IDT تفاصيل PDF

TL071IDT PDF - DE.PDF

TL071IDT PDF - FR.PDF

TL071IDT PDF - ES.PDF

TL071IDT PDF - IT.PDF

TL071IDT PDF - KR.PDF

أوراق بيانات LF356MX/NOPB:

LF356MX/NOPB.PDF

LF356MX/NOPB تفاصيل PDF

LF356MX/NOPB PDF - DE.PDF

LF356MX/NOPB PDF - FR.PDF

LF356MX/NOPB PDF - ES.PDF

LF356MX/NOPB PDF - IT.PDF

LF356MX/NOPB PDF - KR.PDF

TL081CDT أوراق البيانات:

TL081CDT.PDF

TL081CDT تفاصيل PDF

TL081CDT PDF - DE.PDF