| MMDT5451-7-F | |
|---|---|
| رقم القطعة | MMDT5451-7-F |
| الصانع | Diodes Incorporated |
| وصف | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
| الكمية متاحة | 10110 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | 1.MMDT5451-7-F.pdf2.MMDT5451-7-F.pdf3.MMDT5451-7-F.pdf |
| MMDT5451-7-F Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من MMDT5451-7-F | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | MMDT5451-7-F | الفئة | بلورات ، مذبذبات ، صدي |
| الصانع | Diodes Incorporated | وصف | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
| حزمة / القضية | SOT-363 | الكمية متاحة | 10110 pcs |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 160V, 150V | اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم | 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| نوع الترانزستور | NPN, PNP | تجار الأجهزة حزمة | SOT-363 |
| سلسلة | - | السلطة - ماكس | 200mW |
| حزمة / كيس | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | طَرد | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | تصاعد نوع | Surface Mount |
| تردد - تحول | 300MHz | العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE | 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 50nA (ICBO) | الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 200mA |
| رقم المنتج الأساسي | MMDT5451 | ||
| تحميل | MMDT5451-7-F PDF - EN.pdf | ||
موديل المنتج
MMDT5451-7-F
مقدمة
ترتيب مزدوج من الترانزستورات NPN و PNP
العلامة التجارية والمصنع
ديودز إنكوربوريتد
الميزات
تكوين مزدوج للترانزستور: NPN و PNP. جهد التشبع المنخفض بين المجمع والباعث. منتج عرض نطاق مكاسب التيار العالي.
أداء المنتج
يعمل بكفاءة ضمن نطاق درجات حرارة قصوى من -55 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية. يتحمل تيار المجمع حتى 200 مللي أمبير. قدرات جهد عالية مع انهيار بين المجمع والباعث عند 160 فولت لـ NPN و150 فولت لـ PNP.
المواصفات التقنية
تصنيف الطاقة: 200 مللي واط. انهيار جهد المجمع والباعث: 160 فولت (NPN)، 150 فولت (PNP). أقصى تيار للمجمع: 200 مللي أمبير. تشبع Vce: 200 مللي فولت عند 5 مللي أمبير، 50 مللي أمبير (NPN) / 500 مللي فولت عند 5 مللي أمبير، 50 مللي أمبير (PNP). أقصى تيار قطع للمجمع: 50 نانو أمبير. مكسب التيار المستمر: 80 عند 10 مللي أمبير، 5 فولت (NPN) / 60 عند 10 مللي أمبير، 5 فولت (PNP). تردد الانتقال: 300 ميغاهرتز.
الأبعاد، الشكل، والتغليف
الحزمة: 6-TSSOP، SC-88، SOT-363. تم تعبئته في شريط ولف لف الشراء الآلي. جهاز مركب على السطح.
الجودة والموثوقية
مصمم لموثوقية طويلة الأمد في البيئات القاسية. أداء قوي عبر نطاقات درجات حرارة واسعة.
مزايا المنتج
جهد انهيار عالي مناسب للتطبيقات ذات الجهد العالي. معالجة طاقة فعالة بالنسبة للحجم والتعبئة.
المنافسة في المنتج
مُحسّن لكثافة الطاقة والكفاءة. تنافسي في الأسواق التي تتطلب عمليات ذات جهد عالي وتصميم مدمج.
التوافق
متوافق مع عمليات التركيب السطحي القياسية. يتكيف بسهولة مع تصميمات الدوائر الإلكترونية المتنوعة.
الشهادات والامتثال للمعايير
يلبي المعايير الصناعية للجودة والموثوقية. متوافق مع اللوائح البيئية والسلامة.
العمر الافتراضي والاستدامة
مصمم لطول العمر تحت ظروف التشغيل الصعبة. مواد وعمليات تصنيع صديقة للبيئة.
مجالات التطبيق الفعلية
مناسب لتنظيم الطاقة في الإلكترونيات الاستهلاكية. مثالي للتطبيقات التحويلية في أجهزة الاتصال.
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ MMDT5451-7-F عبر الإنترنت.
| MMDT5451-7-F المالية | MMDT5451-7-F السعر | MMDT5451-7-F إلكترونيات | |||
| مكونات MMDT5451-7-F | جرد MMDT5451-7-F | MMDT5451-7-F Digikey | |||
| المورد MMDT5451-7-F | اطلب MMDT5451-7-F عبر الإنترنت | الاستفسار MMDT5451-7-F | |||
| صورة MMDT5451-7-F | MMDT5451-7-F صورة | MMDT5451-7-F PDF | |||
| MMDT5451-7-F Datasheet | تنزيل MMDT5451-7-F Datasheet | منتج Diodes Incorporated | |||
| الأجزاء ذات الصلة ل MMDT5451-7-F | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| صورة | رقم القطعة | وصف | الصانع | إقتبس | |
 |
MMDT5451-TP | Interface | Micro Commercial Co | ||
 |
MMDT5451Q-7 | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
 |
MMDT5401 | SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.6A -160V | Yangjie Technology | ||
 |
MMDT5551-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
|
MMDT521NW | ST SOT323 | ST | ||
|
MMDT5401Q-7-F | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
MMDT5451 | Transistors - Bipolar (BJT) - Si | Yangjie Technology | ||
|
MMDT5551 100-300 K4N | CJ SOT-363 | CJ | ||
|
MMDT5551-7 | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
 |
MMDT521LW-AQ | Digital Transistor, SOT-323, 50V | Diotec Semiconductor | ||
|
MMDT5401-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
|
MMDT5451-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
|
MMDT5551 | SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.6A 180V T | Yangjie Technology | ||
 |
MMDT5551 K4N | LITTELFUSE SOT-363 | LITTELFUSE | ||
 |
MMDT5401-TP | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
|
MMDT5401-7-F | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
MMDT5451-7 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
MMDT5551-TP | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
|
MMDT5551-7-F | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
|
MMDT5401-7 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
أخبار
أكثر من
حصل Polarfire® Soc FPGA من MicroChip على شهادة AEC -Q100 ، مما يؤكد موثوقيته في ظل ظروف السيارات الق...
يعد PSOCTM 4000T أول منتج لـ Infineon يضم تقنية Capsense ™ من الجيل الخامس من الشركة.يمكن دمج تقن...
كشف مدير تنفيذي لقطع غيار السيارات أن تطوير EV في سوق أمريكا الشمالية قد توقف عندما ...
يقوم Infineon و Eatron بتوسيع نطاق تعاون نظام إدارة البطارية (BMS) في إلكترونيات صناعية ومس...
على أشباه الموصلات ، أعلنت مؤخرًا عن إطلاق مستشعرها الأول في الوقت الفعلي للوقت (ITO...
منتجات جديدة
أكثر من
جهاز الاستشعار الكهروضوئي سلسلة PD30 أجهزة الاستشعار ال...
XC112 / XR112 مجموعة التقييم للرادار المتماسك النبضي A111طقم التقييم XC112 و XR112 من Acconeer مع ك...
MINAS A6 سلسلة محركات الأقراص المؤازرة والمحركات تضمن عائ...
مجلس سائق الصمام الأشعة فوق البنفسجية لوحة القيادة LED UV...
الصناعية واختبار الموسعة DDR SDRAM تضمن أجهزة DDR SDRAM من Insignis...
البريد الإلكتروني: Info@ariat-tech.comهونج كونج تل: +00 852-30501966ADD: RM 2703 27F Ho King Comm Center 2-16،
Fa Yuen St MongKok Kowloon ، هونج كونج.
إشعار حقوق النشر © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.كل الحقوق محفوظة.