| MT49H16M18CBM-25:B | |
|---|---|
| رقم القطعة | MT49H16M18CBM-25:B |
| الصانع | Micron Technology Inc. |
| وصف | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
| الكمية متاحة | 3160 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | 1.MT49H16M18CBM-25:B.pdf2.MT49H16M18CBM-25:B.pdf3.MT49H16M18CBM-25:B.pdf4.MT49H16M18CBM-25:B.pdf |
| MT49H16M18CBM-25:B Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من MT49H16M18CBM-25:B | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | MT49H16M18CBM-25:B | الفئة | الدوائر المتكاملة (إكس) |
| الصانع | Micron Technology | وصف | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
| حزمة / القضية | 144-µBGA (18.5x11) | الكمية متاحة | 3160 pcs |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | الجهد - توريد | 1.7V ~ 1.9V |
| تكنولوجيا | DRAM | تجار الأجهزة حزمة | 144-µBGA (18.5x11) |
| سلسلة | - | حزمة / كيس | 144-TFBGA |
| طَرد | Bulk | درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 95°C (TC) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | نوع الذاكرة | Volatile |
| حجم الذاكرة | 288Mbit | تنظيم الذاكرة | 16M x 18 |
| واجهة الذاكرة | Parallel | تنسيق الذاكرة | DRAM |
| تردد على مدار الساعة | 400 MHz | رقم المنتج الأساسي | MT49H16M18 |
| وقت الدخول | 20 ns | ||
| تحميل | MT49H16M18CBM-25:B PDF - EN.pdf | ||
موديل المنتج
MT49H16M18CBM-25:B
مقدمة
وحدة ذاكرة DRAM ذات سعة عالية مصممة للتطبيقات عالية السرعة.
العلامة التجارية والمصنع
تقنية ميكرون.
الميزات
وحدة ذاكرة بكثافة عالية 288 ميغابت، تنظيم ذاكرة 16M x 18 لإدارة البيانات بكفاءة، واجهة ذاكرة موازية لنقل البيانات بسرعة.
أداء المنتج
يدعم ترددات الساعة تصل إلى 400 ميغاهيرتز لعمليات عالية السرعة، زمن وصول سريع قدره 20 نانوثانية لتحسين استجابة النظام، مصممة للعمل ضمن نطاق درجة حرارة واسع من 0°C إلى 95°C.
المواصفات التقنية
تكنولوجيا DRAM من نوع متطاير، حجم الذاكرة 288 ميغابت، واجهة ذاكرة موازية.
الأبعاد، الشكل، والتغليف
عبوة سطحية من نوع 144-TFBGA، أبعاد عبوة 144-µBGA هي 18.5x11 مم.
الجودة والموثوقية
تصميم قوي قادر على تحمل ظروف التشغيل الصناعية، تدل حالة عدم التوافر على تقنية ناضجة ومستقرة.
مزايا المنتج
حجم ذاكرة كبير لتطبيقات معقدة، وصول سريع نسبياً للبيانات لتكنولوجيا DRAM.
المنافسة في المنتج
مصممة للأنظمة التي تتطلب ذاكرة عالية السرعة وكثافة عالية.
التوافق
التصميم السطحي متوافق مع عمليات تصنيع الدوائر المطبوعة الحديثة.
الشهادات والامتثال للمعايير
التزام تقنية ميكرون بمواصفات المعايير الصناعية الخاصة بـ DRAM.
العمر الافتراضي والاستدامة
على الرغم من تصنيفه كمنتج غير متوفر، قد لا يزال موثوقاً للأنظمة القديمة.
مجالات التطبيق الفعلية
مثالي للحوسبة عالية السرعة، الاتصالات، وتطبيقات الخوادم.
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ MT49H16M18CBM-25:B عبر الإنترنت.
| MT49H16M18CBM-25:B المالية | MT49H16M18CBM-25:B السعر | MT49H16M18CBM-25:B إلكترونيات |
| مكونات MT49H16M18CBM-25:B | جرد MT49H16M18CBM-25:B | MT49H16M18CBM-25:B Digikey |
| المورد MT49H16M18CBM-25:B | اطلب MT49H16M18CBM-25:B عبر الإنترنت | الاستفسار MT49H16M18CBM-25:B |
| صورة MT49H16M18CBM-25:B | MT49H16M18CBM-25:B صورة | MT49H16M18CBM-25:B PDF |
| MT49H16M18CBM-25:B Datasheet | تنزيل MT49H16M18CBM-25:B Datasheet | منتج Micron Technology |
