| SUM70101EL-GE3 | |
|---|---|
| رقم القطعة | SUM70101EL-GE3 |
| الصانع | Vishay Siliconix |
| وصف | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| الكمية متاحة | 5800 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | SUM70101EL-GE3.pdf |
| SUM70101EL-GE3 Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من SUM70101EL-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | SUM70101EL-GE3 | الفئة | |
| الصانع | Electro-Films (EFI) / Vishay | وصف | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| حزمة / القضية | TO-263 (D²Pak) | الكمية متاحة | 5800 pcs |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | تجار الأجهزة حزمة | TO-263 (D²Pak) |
| سلسلة | TrenchFET® | RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 10.1mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 375W (Tc) | حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7000 pF @ 50 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 190 nC @ 10 V | نوع FET | P-Channel |
| FET الميزة | - | محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| رقم المنتج الأساسي | SUM70101 | ||
| تحميل | SUM70101EL-GE3 PDF - EN.pdf | ||
موديل المنتج
SUM70101EL-GE3
مقدمة
ترانزستور MOSFET من نوع P-Channel لتطبيقات الطاقة العالية.
العلامة التجارية والمصنع
إلكترو-أفلام (EFI) / فيشاى
الميزات
تقنية ترانزستور MOSFET من نوع P-Channel
التيار المستمر العالي من الصرف 120A
شحنة بوابة منخفضة تبلغ 190nC
تفريغ طاقة عالٍ يبلغ 375W
يعمل في درجات حرارة ممتدة
أداء المنتج
يمكنه التعامل مع جهد الصرف إلى المصدر العالي والذي يصل إلى 100V
يدعم ما يصل إلى 120A من التيار المستمر عند 25°C
يعمل بكفاءة في نطاق درجات حرارة بين -55°C و 175°C
مناسب لتطبيقات السرعة العالية في التبديل
المواصفات التقنية
جهد الصرف إلى المصدر (Vdss) 100V
جهد العتبة بين البوابة والمصدر (Vgs(th)) عند 2.5V
أقصى شحنة بوابة (Qg) 190nC عند 10V
سعة الإدخال (Ciss) 7000pF عند 50V
جهد القيادة لأقصى Rds On وأدنى Rds On عند 4.5V، 10V
Vgs (Max) ±20V
الأبعاد، الشكل، والتغليف
TO-263-3، DPak (2 دبابيس + تاب)، حزمة TO-263AB
جهاز محمول على السطح
معبأ في Digi-Reel
الجودة والموثوقية
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (غير محدود)
مزايا المنتج
مقاومة حرارية منخفضة
فقدان توصيل متقلص
موثوقية عالية وأداء قوي
المنافسة في المنتج
تم تحسينه لتطبيقات إدارة الطاقة عالية الأداء
منافسة مع ترانزستورات MOSFET P-Channel عالية الطاقة المماثلة في السوق
التوافق
متوافق مع تكنولوجيا PCB القياسية المعتمدة على السطح
الشهادات والامتثال للمعايير
ممتثل لمعايير RoHS
خالي من الرصاص (Pb-Free)
العمر الافتراضي والاستدامة
مصمم لتحقيق موثوقية وأداء طويل الأمد
مجالات التطبيق الفعلية
دوائر إمداد الطاقة
أنظمة التحكم في المحركات
محولات DC إلى DC
إدارة الطاقة للاتصالات
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ SUM70101EL-GE3 عبر الإنترنت.
| SUM70101EL-GE3 المالية | SUM70101EL-GE3 السعر | SUM70101EL-GE3 إلكترونيات | |||
| مكونات SUM70101EL-GE3 | جرد SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 Digikey | |||
| المورد SUM70101EL-GE3 | اطلب SUM70101EL-GE3 عبر الإنترنت | الاستفسار SUM70101EL-GE3 | |||
| صورة SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 صورة | SUM70101EL-GE3 PDF | |||
| SUM70101EL-GE3 Datasheet | تنزيل SUM70101EL-GE3 Datasheet | منتج Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| الأجزاء ذات الصلة ل SUM70101EL-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| صورة | رقم القطعة | وصف | الصانع | إقتبس | |
 |
SUM70N03-09CP-E3 | MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SUM70N06-11 | SUM70N06-11 V | V | ||
|
SUM70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO263 | Vishay Siliconix | ||
 |
SUM70042M-GE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70N04-07 | VBsemi TO263 | VBsemi | ||
 |
SUM70N03-09CP MOS | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
|
SUM70N03-09CP-E3 | MOSFET N-CH 30V 70A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70042E-GE3 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70N03-09CP | SUM70N03-09CP V | V | ||
|
SUM70N04-10L | SUM70N04-10L V | V | ||
|
SUM70N04-07L | SUM70N04-07L VISHAY | VISHAY | ||
 |
SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM70N04-07L-E3 | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM70101EL | VIS TO-263 | VIS | ||
|
SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO263 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM70090E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 50A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70090E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM70N04-07L-E3 | MOSFET N-CH 40V 70A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70040E-GE3 SUM70040E | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
أخبار
أكثر من
حصل Polarfire® Soc FPGA من MicroChip على شهادة AEC -Q100 ، مما يؤكد موثوقيته في ظل ظروف السيارات الق...
يعد PSOCTM 4000T أول منتج لـ Infineon يضم تقنية Capsense ™ من الجيل الخامس من الشركة.يمكن دمج تقن...
كشف مدير تنفيذي لقطع غيار السيارات أن تطوير EV في سوق أمريكا الشمالية قد توقف عندما ...
يقوم Infineon و Eatron بتوسيع نطاق تعاون نظام إدارة البطارية (BMS) في إلكترونيات صناعية ومس...
على أشباه الموصلات ، أعلنت مؤخرًا عن إطلاق مستشعرها الأول في الوقت الفعلي للوقت (ITO...
منتجات جديدة
أكثر من
وحدات Bluetooth® Xpress ومنصة التطويرتُعد Blue Gecko Xpress BGX13 من Silicon Labs وحدة لاسلكية مصممة خصيص...
EFR32 ™ فليكس جيكو Sub-GHz و 2.4 غيغاهرتز عدة لاسلكية يتميز الج...
طقم تطوير Wi-Fi لوحدة Zentri AMW007-E03 تساعد مجموعة تطوير AMW007 من ...
Si3404 و Si3406x السلطة عبر الإيثرنت (PoE) بالطاقة رقائق الجهاز ...
Si86xx العازلة الرقمية الأسرة توفر العوازل الرقمية من Silico...
البريد الإلكتروني: Info@ariat-tech.comهونج كونج تل: +00 852-30501966ADD: RM 2703 27F Ho King Comm Center 2-16،
Fa Yuen St MongKok Kowloon ، هونج كونج.
إشعار حقوق النشر © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.كل الحقوق محفوظة.