| SUM65N20-30-E3 | |
|---|---|
| رقم القطعة | SUM65N20-30-E3 |
| الصانع | Vishay Siliconix |
| وصف | MOSFET N-CH 200V 65A TO263 |
| الكمية متاحة | 32637 pcs new original in stock. طلب الأسهم واقتباس |
| نموذج ECAD | |
| جداول البيانات | 1.SUM65N20-30-E3.pdf2.SUM65N20-30-E3.pdf |
| SUM65N20-30-E3 Price |
طلب السعر والوقت الرصاص على الانترنت or Email us: Info@ariat-tech.com |
| معلومات فنية من SUM65N20-30-E3 | |||
|---|---|---|---|
| الصانع الجزء رقم | SUM65N20-30-E3 | الفئة | |
| الصانع | Vishay / Siliconix | وصف | MOSFET N-CH 200V 65A TO263 |
| حزمة / القضية | TO-263 (D²Pak) | الكمية متاحة | 32637 pcs |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | تجار الأجهزة حزمة | TO-263 (D²Pak) |
| سلسلة | TrenchFET® | RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 30mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) | حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5100 pF @ 25 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130 nC @ 10 V | نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - | محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| رقم المنتج الأساسي | SUM65 | ||
| تحميل | SUM65N20-30-E3 PDF - EN.pdf | ||
موديل المنتج
SUM65N20-30-E3
مقدمة
ترانزستور MOSFET عالي القدرة من نوع N-Channel
العلامة التجارية والمصنع
فيشاي / سيلكونيكس
الميزات
ترانزستور تأثير المجال بأكسيد المعدن (MOSFET) بتقنية TrenchFET، بايضاءة عالية للجهد من المصرف إلى المصدر (200V)، مقاومة تشغيل منخفضة (30 ملي أوم)، تيار مصرف مستمر عالي (65A)
أداء المنتج
نطاق درجة حرارة التشغيل من -55°C إلى 175°C، قدرات تصريف عالية للطاقة (3.75 واط عند Ta، 375 واط عند Tc)، سرعة تبديل سريعة، أداء حراري معزز
المواصفات التقنية
خالٍ من الرصاص ومتوافق مع معايير RoHS، جهد عتبة البوابة إلى المصدر يبلغ 4V عند 250µA، أقصى شحنة بوابة تبلغ 130nC عند 10V، سعة إدخال تبلغ 5100pF عند 25V
الأبعاد، الشكل، والتغليف
نمط تركيب السطح TO-263-3، DPak (2 أرجل + لسان)، حزمة TO-263AB، موفر في Digi-Reel للتصنيع الآلي، رمز حزمة الشركة المصنعة: TO-263 (D2Pak)
الجودة والموثوقية
مصنوع من قبل شركات فيشاي، الرائدة في صناعة أشباه الموصلات، معايير صارمة لمراقبة الجودة
مزايا المنتج
تصميم متين للبيئات القاسية، مقاومة Rds(on) منخفضة لتحويل الطاقة بكفاءة
المنافسة في المنتج
معلمات الأداء التنافسية لتطبيقات الطاقة العالية، مفضل في التصميمات التي تتطلب كفاءة الطاقة
التوافق
متوافق مع عمليات تصنيع تقنية التركيب السطحي القياسية
الشهادات والامتثال للمعايير
خالٍ من الرصاص ومتوافق مع معايير RoHS للبيئة العالمية
العمر الافتراضي والاستدامة
مصمم للموثوقية طويلة الأمد في تطبيقات متنوعة
مجالات التطبيق الفعلية
مزودات الطاقة، محركات السيارات، العواكس، التطبيقات في صناعة السيارات، منظمات التحويل
راسلنا عبر البريد الإلكتروني: Info@Ariat-Tech.com أو RFQ SUM65N20-30-E3 عبر الإنترنت.
| SUM65N20-30-E3 المالية | SUM65N20-30-E3 السعر | SUM65N20-30-E3 إلكترونيات | |||
| مكونات SUM65N20-30-E3 | جرد SUM65N20-30-E3 | SUM65N20-30-E3 Digikey | |||
| المورد SUM65N20-30-E3 | اطلب SUM65N20-30-E3 عبر الإنترنت | الاستفسار SUM65N20-30-E3 | |||
| صورة SUM65N20-30-E3 | SUM65N20-30-E3 صورة | SUM65N20-30-E3 PDF | |||
| SUM65N20-30-E3 Datasheet | تنزيل SUM65N20-30-E3 Datasheet | منتج Vishay / Siliconix | |||
| الأجزاء ذات الصلة ل SUM65N20-30-E3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| صورة | رقم القطعة | وصف | الصانع | إقتبس | |
 |
SUM70030M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 | Vishay Siliconix | ||
 |
SUM60N10-17-GE3 | SUM60N10-17-GE3 V | V | ||
 |
SUM70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SUM60N10-17 | SUM60N10-17 VISHAY | VISHAY | ||
|
SUM62N20-30-E3 | VISH TO-263 | VISH | ||
|
SUM65P06-20 | VISHAY | |||
|
SUM70030E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 150A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM70040E | SUM70040E VISHAY | VISHAY | ||
|
SUM60N10-17-E3 | MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM65N20-30 | SUM65N20-30 VISHAY | VISHAY | ||
|
SUM65P04-15 | SUM65P04-15 VISHAY | VISHAY | ||
|
SUM65N20-30-E3 MOS | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
|
SUM65N20-30-E3 IC | VISHAY TO-263 | VISHAY | ||
|
SUM65N20-30 MOS | VISHAY D2PAK(TO-263) | VISHAY | ||
|
SUM65N20-30-E3 | MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SUM60P05-11LT-E3 | SUM60P05-11LT-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SUM60N10-17-E3 | MOSFET N-CH 100V 60A TO263 | Vishay Siliconix | ||
|
SUM6K1N | SUM6K1N VB | VB | ||
|
SUM60N10-17-GE3 MOS | VBSEMI TO-263 | VBSEMI | ||
أخبار
أكثر من
حصل Polarfire® Soc FPGA من MicroChip على شهادة AEC -Q100 ، مما يؤكد موثوقيته في ظل ظروف السيارات الق...
يعد PSOCTM 4000T أول منتج لـ Infineon يضم تقنية Capsense ™ من الجيل الخامس من الشركة.يمكن دمج تقن...
كشف مدير تنفيذي لقطع غيار السيارات أن تطوير EV في سوق أمريكا الشمالية قد توقف عندما ...
يقوم Infineon و Eatron بتوسيع نطاق تعاون نظام إدارة البطارية (BMS) في إلكترونيات صناعية ومس...
على أشباه الموصلات ، أعلنت مؤخرًا عن إطلاق مستشعرها الأول في الوقت الفعلي للوقت (ITO...
منتجات جديدة
أكثر من
جهاز الاستشعار الكهروضوئي سلسلة PD30 أجهزة الاستشعار ال...
XC112 / XR112 مجموعة التقييم للرادار المتماسك النبضي A111طقم التقييم XC112 و XR112 من Acconeer مع ك...
MINAS A6 سلسلة محركات الأقراص المؤازرة والمحركات تضمن عائ...
مجلس سائق الصمام الأشعة فوق البنفسجية لوحة القيادة LED UV...
الصناعية واختبار الموسعة DDR SDRAM تضمن أجهزة DDR SDRAM من Insignis...
البريد الإلكتروني: Info@ariat-tech.comهونج كونج تل: +00 852-30501966ADD: RM 2703 27F Ho King Comm Center 2-16،
Fa Yuen St MongKok Kowloon ، هونج كونج.
إشعار حقوق النشر © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.كل الحقوق محفوظة.